Am Standort Villach entsteht ein neuer Produktionsbereich für Galliumnitrid-Technologie. Infineon plant dort die Hochvolumenfertigung leistungsfähiger Halbleiter auf großen Wafern. Der Waferdurchmesser von 300 Millimetern unterstützt die wirtschaftliche Skalierung. Für die Einrichtung stehen bis 2034 rund 1,1 Milliarden Euro bereit. Die Investition konzentriert sich auf vorhandene Reinräume und technische Infrastruktur. Der Produktionsanlauf ist für Ende 2027 geplant. Die Kapazitäten werden nach realer Nachfrage schrittweise erweitert.
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Infineon schafft hochskalierbare Fertigung für Galliumnitrid-Chips der Zukunft
Mit einer neuen 300-Millimeter-Linie erweitert Infineon die GaN-Kapazitäten am Standort Villach. Die Fertigung ist für hohe Ausbringungsmengen bei Leistungshalbleitern konzipiert. Großformatige Wafer ermöglichen die parallele Herstellung einer Vielzahl einzelner Chips. Dies fördert die wirtschaftliche Skalierung von Galliumnitrid in der Serienproduktion. Die Produktionsbasis unterstützt neue Bauelemente für unterschiedliche technische Anwendungsfelder. Villach baut dabei seine Fähigkeiten in Fertigung und Prozessentwicklung aus. Der Standort gewinnt weltweit als Zentrum für Leistungshalbleiter weiter an Relevanz.
Bedarfsgerechter Kapazitätsaufbau nutzt vorhandene Produktionsstrukturen am Standort Villach effizient
Infineon setzt beim Ausbau auf die Umnutzung bestehender Reinräume bewusst. Diese Flächen werden modernisiert und für zusätzliche Fertigungsschritte vorbereitet sorgfältig. Der Verzicht auf einen Neubau reduziert Baukosten und Planungsrisiken deutlich. Gleichzeitig bleiben wichtige Einrichtungen der Standortinfrastruktur nutzbar erhalten für Prozesse. Der Umbau ermöglicht eine flexible Erweiterung in mehreren Ausbaustufen nacheinander. Produktionsvolumen wird jeweils nach der tatsächlichen Nachfrage ausgerichtet und gesteuert. So werden technische Ressourcen und finanzielle Mittel effizient eingesetzt insgesamt.
Die GaN-Fertigung bedient Märkte für effiziente Leistungselektronik gezielt weltweit
GaN-Leistungshalbleiter optimieren Stromversorgungslösungen, weil sie elektrische Energie bei hohen Schaltfrequenzen mit geringeren Verlusten wandeln. Diese Eigenschaften vereinfachen die Entwicklung platzsparender Systeme mit hoher Leistungsdichte und reduziertem Kühlbedarf. Besonders KI-Rechenzentren benötigen solche Komponenten, um ihren wachsenden Strombedarf effizienter zu decken. Zusätzlich profitieren Energie-Infrastruktur, Elektrofahrzeuge, Robotik und Konsumentenelektronik. Die geplante Fertigung versorgt daher Märkte, in denen leistungsfähige, sparsame und zuverlässig skalierbare Halbleiter für anspruchsvolle Anwendungen künftig besonders häufig benötigt werden.
Villacher Halbleiterproduktion erhält bis 2034 Milliardeninvestition für schrittweisen GaN-Hochlauf
Die geplante GaN-Produktion in Villach soll bei Infineon Ende 2027 beginnen. Der Ausbau wird über einen Zeitraum bis 2034 mit rund 1,1 Milliarden Euro finanziert. Wie schnell weitere Kapazitäten entstehen, hängt von der Entwicklung des Marktes ab. Infineon verfolgt damit einen bedarfsorientierten Hochlauf, der sich an realen Absatzmöglichkeiten ausrichtet. Produktionsmengen können erweitert werden, wenn die Nachfrage steigt. Bei abweichenden Erwartungen bleibt die Fertigung auf ein wirtschaftlich sinnvolles Niveau begrenzt.
Chips Act finanziert Ausbau europäischer Kapazitäten für Leistungshalbleiterproduktion langfristig
Eine Förderung über 319 Millionen Euro aus dem Europäischen Chips Act unterstützt Infineons Ausbaupläne in Villach. Das Fördergeld dient der Schaffung zusätzlicher Kapazitäten für moderne Leistungshalbleiter und sichert deren Fertigung in Europa ab. Die Maßnahme verbessert die Voraussetzungen für eine industrielle Skalierung wichtiger Halbleitertechnologien. Sie kann dazu beitragen, europäische Kunden verlässlicher zu beliefern und externe Abhängigkeiten zu reduzieren. Darüber hinaus stärkt die Investition die technische Leistungsfähigkeit, Wertschöpfung und die Versorgungssicherheit.
Das Villacher Projekt etabliert eine neue europäische Quelle für GaN-Chips. Die Produktion verwendet großformatige Wafer und bereits vorhandene Reinräume konsequent. Damit verbindet Infineon technischen Fortschritt mit effizientem Ressourceneinsatz wirtschaftlich. Die Fertigung kann mit der Nachfrage in einzelnen Märkten wachsen. Dieser Ansatz verhindert überdimensionierte Kapazitäten und verbessert die Investitionssteuerung deutlich. Leistungshalbleiter unterstützen den energieeffizienten Betrieb anspruchsvoller elektrischer Anwendungen nachhaltig weltweit. Fördermittel stärken Europas Lieferketten und senken Abhängigkeiten von Importen langfristig.
